High-temperature kinetics of Si-containing precursors for ceramic processing - ENSTA Paris - École nationale supérieure de techniques avancées Paris Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue AIChE Journal Année : 1997

High-temperature kinetics of Si-containing precursors for ceramic processing

L. Catoire

Dates et versions

hal-01221149 , version 1 (27-10-2015)

Identifiants

Citer

L. Catoire. High-temperature kinetics of Si-containing precursors for ceramic processing. AIChE Journal, 1997, 43 (S11), ⟨10.1002/aic.690431311⟩. ⟨hal-01221149⟩

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